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简历编号：C40765

王立强个人简历

女|36岁| 身高: 177cm| 本科|4年以上工作经验
现居：徐汇区   户籍：西安市
气质佳 沟通力强 技术精悍
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求职意向
  • 工作类型：

    全职

  • 期望地区：

    江苏省,国外,上海,北京,大连市

  • 期望行业：

    电子技术/半导体/集成电路

  • 期望职业：

    单证员

  • 期望薪资：

    元/月

  • 求职状态：

    在职，打算近期换工作

  • 到岗时间：

    1个月内

自我评价
 
性格热情、活泼开朗又不失稳重，善于处理与他人的关系。心理素质好，乐观向上、为人真诚、坦率，能吃苦耐劳，有较强的适应能力和自学能力，不易受外界环境的干扰，具有较强的团队合作精神。
教育经历
  • 2006/9-2009/5
  • 硕士|沈阳工业大学|微电子学与固体电子学
  • 1999/9-2003/7
  • 本科|沈阳工业大学|电子科学与技术
  • 1996/9-1999/7
  • 高中|葫芦岛第一高级中学|基础教育
工作经历
  • 2009/5-0/0
  • 研发工程师

    天津中环半导体有限公司 |电子技术/半导体/集成电路

    负责igbt与frd的研发工作，做为主要的负责人之一参与igbt的版图设计，完成产品单步工艺开发（沟槽、薄片、辐照工艺），制定igbt及frd的工艺流程， 通过使用模拟软件的仿真结果优化产品工艺。在此期间，做为参与人，发表专利一项，论文一篇。目前igbt及frd产品已试封装完成，静态参数达到要求。
  • 2003/8-2004/9
  • 工艺工程师

    扬州晶来电子有限公司 |电子技术/半导体/集成电路

    从在扬州工作期间，主要了解了三极管，可控硅及放电管的具体生产工艺及参数要求，同时结合理论知识分析并解决了一些问题 1.可控硅部分产品需在门极与阴极间做浅槽隔离，在腐蚀台面槽后需做浅槽光刻及腐蚀，原版图因设计不合理，导致浅槽不容易显影干净以及腐蚀槽型差，经过改版及改变工艺，解决了此问题。 2．可控硅产品需做穿通隔离，由于温度较高，时间较长，容易导致晶格缺陷及有害杂质深扩散，从而反向电压报废率很高。通过调整工艺，降低穿通时间及温度，从而大幅度提高了产品合格率。 3．小双向可控硅存在四个象限触发均匀性问题，特别是第四象限触发较大，难以满足客户日益提高的要求。通过理论分析认为，问题为背面n区导通电流太大导致，通过修改版图及调整工艺，成功降低四象限触发电流。 4．平面放电管因光刻造成的针孔，导致基区边缘扩入磷区形成降压点，导致合格率偏低，通过二次套刻，降低了光刻针孔，提高了合格率。
  • 2004/10-2005/9
  • 工艺工程师

    无锡华普微电子有限公司 |电子技术/半导体/集成电路

    工作总结：1.双极运算放大器芯片的生产工作，在氧化工艺负责工艺参数的制定，在光刻工艺、腐蚀工艺进行工艺参数的调试，参与芯片整体工艺流程的指定 2.对芯片的整体制造工艺比较熟悉。
培训经历
  • 2011/11-2011/11
  • 易迪思（中国）培训中心|Advanced Project Management Academy

    课程描述：project项目规划与管理

语言能力
  • 英语
  •   良好
项目经验
  • 2009/9- 0 0
  • 1200V系列IGBT及FRD产品的研发 根据公司发展需要，填补国内市场空白，研发igbt产品
  • 2011/8- 0 0
  • 3300V FRD产品研发 根据公司发展需要，扩充产品需要，研发igbt产品
  • 2007/10- 2008 8
  • 2007/10 -- 2008/08：1700V高压IGBT终端保护技术仿真分析与工艺实现 根据实习所在公司承担的国家项目和产品开发的需要，设计一种npt-igbt的终端结构，要求耐压达到1700v。已成功流片。
我的证书
  • 2018/7
  • C1驾照
附加信息
  • 主题：
  • 特长

    跑步
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